Dr.-Ing. David Philipp Hammes
(2022)
Die Kurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter
Dr.-Ing. Quang Tien Tran
(2021)
Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezuGate-Emitter-Spannung unabhängigerDiodencharakteristik
Dr.-Ing. Cord Prignitz
(2021)
Regelung von Offshore-Windparks mit Dioden- Gleichrichter-HGÜ in einem synthetischen Referenzsystem
Dr.-Ing. Robin Werner
(2020)
Mechanismen und Ursachen vonStromfehlverteilungen zwischenparallelen Hochvolt-IGBT
Dr.-Ing. Patrick Münster
(2020)
Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT
Dr.-Ing. Holger Wiencke
(2019)
Ein Beitrag zum Verhalten Modularer Multilevel Umrichter (MMC) bei Taktsperre
Dr.-Ing. Steffen Pierstorf
(2015)
Ein Beitrag zum Kurzschlussverhalten hochsperrender IGBTs und Dioden
Dr.-Ing. David Weiß
(2015)
Ein Beitrag zur Anwendung rückwärtsleitfähiger IGBT in der Antriebs- und Energietechnik
Dr.-Ing. Tobias Gerhard Appel
(2014)
Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiCTransistoren
Dr.-Ing. Jörg Schumann
(2014)
Ladungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTs
Dr.-Ing. Jürgen Walter Böhmer
(2014)
Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren
