Promotionen am Lehrstuhl für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe
Dr.-Ing. Yves Hein
(2023)
Koordinierte Ansteuerung parallelgeschalteter Zweipunktumrichter mit gemeinsamem Zwischenkreis
Dr.-Ing. Michael Schütt
(2022)
Dr.-Ing. Christoph Friedrich Junghans
(2022)
Dr.-Ing. David Philipp Hammes
(2022)
Die Kurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter
Dr.-Ing. Quang Tien Tran
(2021)
Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristik
Dr.-Ing. Cord Prignitz
(2020)
Regelung von Offshore-Windparks mit Dioden-Gleichrichter-HGÜ in einem synthetischen Referenzsystem
Dr.-Ing. Robin Werner
2020 - Mechanismen und Ursachen vonStromfehlverteilungen zwischenparallelen Hochvolt-IGBT
Zwischen parallelen IGBT treten Stromfehlverteilungen auf. Diese Fehlverteilungen haben einen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit der Parallelschaltung. In dieser Arbeit werden für verschiedene Situation Mechanismen beschrieben, die zu Stromfehlverteilungen führen. Die betrachteten Situationen sind der Durchlass ... (mehr)
Dr.-Ing. Patrick Münster
2020 - Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT
Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten ... (mehr)
Dr.-Ing. Holger Wiencke
2019 - Ein Beitrag zum Verhalten Modularer Multilevel Umrichter (MMC) bei Taktsperre
Die vorliegende Dissertation untersucht das elektrische Verhalten eines Modular Multilevel Umrichters während einer Taktsperre. Eine solche Taktsperre wird auch als Blockieren des Konverters bezeichnet. Bei einem Blockiervorgang kann es dazu kommen, dass zum einen der Umrichter an seine Spannungsgrenze ... (mehr)
Dr.-Ing. Thomas Rump
Elektrische Verbraucher tragen zum stabilen Betrieb von elektrischen Energieversorgungsnetzen bei. Sind die Verbraucher über Leistungselektronik mit dem Netz verbunden, ist der positive Beitrag jedoch vermindert bzw. nicht vorhanden. Aus diesem Grund wurde in der Literatur eine Vielzahl von Zusatzregelungen vorgestellt, die dieser Art von ... (mehr)
Dr.-Ing. Sidney Gierschner
Im Rahmen dieser Arbeit wird der Einsatz eines neuartigen Leistungshalbleiters für den Mittel- und Hochspannungsbereich und die sich daraus ergebenden Vor- und Nachteile analysiert. Hierbei liegt der Fokus auf der Leistungsfähigkeit und der Lebensdauer des untersuchten Leistungshalbleiters in verschiedenen Dreipunktumrichtertopologien ... (mehr)
Dr.-Ing. Jan Fuhrmann
Im Rahmen dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt, dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist, der den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt und ein vollständiges Entladen ... (mehr)
Dr.-Ing. Steffen Pierstorf
2015 - Ein Beitrag zum Kurzschlussverhalten hochsperrender IGBTs und Dioden
In dieser Arbeit wird das Verhalten hochsperrender IGBT und Dioden bei Umrichterkurzschlüssen untersucht. Neben den bereits bekannten Kurzschlussfällen I (Einschalten des IGBT auf einen bereits existenten Kurzschluss), II (Kurzschluss, während der IGBT leitet) und ... (mehr)
Dr.-Ing. David Weiß
2015 - Ein Beitrag zur Anwendung rückwärtsleitfähiger IGBT in der Antriebs- und Energietechnik
Rückwärts leitfähige IGBT bieten durch die Integration von IGBT und Diode in einem Chip den Vorteil, dass neben einer Erhöhung der Leistungsdichte auch die Lastwechselbeanspruchung gegenüber konventionellen IGBT/Dioden Modulen reduziert wird. Insbesondere bei geringen Grundfrequenzen ... (mehr)
Dr.-Ing. Daniel Wigger
Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalität von IGBT und antiparalleler Diode in einem Chip integrieren. Zur Prävention eines Snapback der Durchlassspannung besteht der Bimode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer chipinternen Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs ... (mehr)
Dr.-Ing. Tobias Gerhard Appel
2014 - Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiCTransistoren
Das Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine Größenordnung höhere Sperrschichtkapazität auf, da die Feldstärken im Halbleiter ...(mehr)
Dr.-Ing. Jörg Schumann
2014 - Ladungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTs
In dieser Arbeit wird das Ladungsträgerextraktionsmodell, ein neues Simulationsmodell zur Modellierung des Abschaltens von IGBT, vorgestellt. Kern des Modells ist die eindimensionale Beschreibung des Ausräumens des Elektronen-Loch-Plasmas, der sich daraus ergebenen Aufsteilung des elektrischen Feldes und der Rückwirkungen auf das Gate. Das Modell ist für die Integration in einen Schaltkreissimulator geeignet, ...(mehr)
Dr.-Ing. Jürgen Walter Böhmer
Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren
2014 - Der Grund für die gute Steuerbarkeit der Spannungsflanke beim IGBT und beim MOSFET ist die Millerkapazität. Diese koppelt den Kollektor beziehungsweise den Drain zurück auf das Gate. Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT Elektronen und Löcher zum Stromfluss bei. Demnach ist der IGBT, anders als der MOSFET, ein bipolares Bauelement. Diese Arbeit zeigt, dass der zeitliche Verlauf ... (mehr)
