Ein Beitrag zum Kurzschlussverhalten hochsperrender IGBTs und Dioden

In dieser Arbeit wird das Verhalten hochsperrender IGBT und Dioden bei Umrichterkurzschlüssen untersucht. Neben den bereits bekannten Kurzschlussfällen I (Einschalten des IGBT auf einen bereits existenten Kurzschluss), II (Kurzschluss, während der IGBT leitet) und III (Kurzschluss, während die Diode leitet und der parallele IGBT eingeschaltet ist) wird der Typ IV eingeführt (Kurzschluss, während die Diode leitet und der parallele IGBT ausgeschaltet ist). Für die unterschiedlichen Fälle werden sichere Arbeitsbereiche der untersuchten IGBT ermittelt. Mit einer Gegenkopplungsschaltung kann die Belastung für den IGBT signifikant reduziert werden. Umfangreiche experimentelle Ergebnisse werden mit Schaltkreis- und Bauelementsimulationen verglichen.