Das Vorhaben befasst sich mit der Steigerung des Wirkungsgrads selbstgeführter HGÜ Stromrichter. Durch die Erforschung neuartiger Si-IGBT und Dioden in der Spannungsklasse 3,3 kV bis 6,5 kV, deren Integration in HGÜ Power Module und innovative Ansteuerkonzepte sollen die Leistungshalbleiterverluste in HGÜ Stromrichtern deutlich reduziert werden. Mit der LowLoss IGBT Technologie soll eine Anhebung der Plasmakonzentration und eine Verbesserung der Kanalleitfähigkeit erreicht werden. Ansteuerkonzepte mit Entsättigungspuls, Feldstärkebegrenzung und Kurzschlussstrombegrenzung reduzieren die Ausschaltverluste und gewährleisten hohe Robustheit.

Im Teilvorhaben der Universität Rostock werden die neuen Ansteuerkonzepte erforscht und weitere Potentiale zur Senkung der Durchlassspannung aufgezeigt.